Ремонт&Сервис
 

Новости

О нас

О журнале Р&С

Архив Р&С

номера

разделы

Анонсы Р&C

ПОКУПАЕМ от АдоЯ

Архив АдоЯ

Файловый архив

Приглашаем

Реклама

Подписка

Где купить

Наши партнеры

Поиск Р&С

ТРИЗ

Запчасти

Архив_новости

 

Журнал

Реммаркет

схемы новости электроники

Ремонт аппаратуры (схемы, справочники, документация)

 
Ежемесячный журнал по ремонту и обслуживанию электронной техники

• бытовая техника

• аудиотехника

• техника связи

• телевизионная техника

• оргтехника

• видеотехника

• телефония

• элементная база

 

Архив/Номера/№7–2011

Назад
 
 
 
 

XS™ DrMOS - MOSFET-транзистор и драйвер для источников питания

Компания Fairchild Semiconductor представила новое семейство второго поколения XS DrMOS (MOSFET-транзистор + драйвер) для источников питания. Высокие характеристики эффективности и удельной плотности мощности позволяют разработчикам применять их во множестве различных приложений.

DrMOS выпускаются в миниатюрных корпусах PQFN размером 6 ґ 6 мм и обеспечивают КПД до 91,5% при входном напряжении 12 В, выходном напряжении 1 В и токе 1 А, а их максимальный КПД может достигать 94%. DrMOS работают с частотой переключения до 2МГц и способны управлять токами до 50 А.

Используя опыт компании в разработке MOSFET-транзисторов, Fairchild оптимизировала приборы Generation II XS DrMOS, добавив в них новые функции и увеличив эффективность. Новые приборы идеально подходят для таких приложений, как игровые консоли, ноутбуки, графические карты и DC/DC-преобразователи.

ИМС имеют 3-уровневые входы, рассчитанные на напряжение 3,3 или 5 В, приборы соответствуют требованиям спецификации Intel® 4.0 DrMOS и совместимы с различными ШИМ-контроллерами. Устройства второго поколения XS DrMOS имеют меньше шумов вследствие примененной в них технологии экранирования PowerTrench® MOSFET Shielded Gate как в управляющем транзисторе, так и в транзисторах синхронного выпрямителя. Синхронные полевые транзисторы интегрируются с диодом Шотки, что повышает их производительность и мощность, при этом снижаются размеры и стоимость готового изделия. Новые XS DrMOS имеют функцию предупреждения о превышении температуры кристалла, что позволяет разработчикам предотвратить перегрев прибора в аварийных ситуациях.

 

Основные характеристики ИМС

Семейство Наименование Максимальный ток, А КПД при UВХ=12 В, UВЫХ=1 В, IВЫХ=25 A Внутренний стабилизатор Вход ШИМ стремя состояниями Напряжение запирания затвора
05 FDMF6705 40 А >89% нет 5 В 5 В
  FDMF6705V 40 А >89% есть 5 В  
06 FDMF6706C 45 А >91% нет 5 В  
07 FDMF6707B 50 А >91,5% нет 3,3 В  

 

Источник: http://www.rlocman.ru/

 
 
 

Свежий номер

№4–2024

Опрос

Обратная связь

 

Издательство СОЛОН-ПРЕСС

 

RB2 Network.
 
Rambler's Top100

© Издательство «Ремонт и Сервис 21», 1998-2007. Все права защищены.
Воспроизведение материалов сайта, журналов «Ремонт & Сервис», «Покупаем от А до Я» и справочника «Ремонт и сервис электронной техники» в любом виде, полностью или частично, допускается только с письменного разрешения издательства «Ремонт и Сервис 21».

 
RB2 Network.