VEMD5010X01, VEMD5110X01 - низкопрофильные p-i-n-фотодиоды с большой фоточувст-вительной областьюVishay Intertechnology пополнила свой портфель оптоэлектронных приборов двумя новыми быстродействующими кремниевыми p-i-n-фотодиодами в корпусах для поверхностного монтажа размером 5Ч4Ч0,9 мм. Расположенная на верхней поверхности приборов VEMD5010X01 и VEMD5110X01 большая фоточувствительная область площадью 7,5 мм2 обеспечивает высокую интегральную чувствительность с уровнем обратного фототока 48 мкА при очень малом темновом токе 2 нА. Приборы предназначены для автомобильных, промышленных и медицинских приложений.
Устройства, соответствующие автомобильному стандарту AEC-Q101, изготавливаются на основе разработанной Vishay технологии FAM. Выводная рамка фотодиодов, проволочные выводы кристалла и контактные площадки залиты черным эпоксидным компаундом, в то время как сама полость с фоточувствительным элементом заполнена светопроводящим составом.
Фотодиоды оптимизированы для детектирования света в таких приложениях, как датчики дождя и света, детекторы дыма, носимая электроника, передача данных и дорожные пункты оплаты. Для детектирования видимого света и ближней части ИК спектра предназначены приборы VEMD5010X01, у которых полость вокруг чувствительного элемента залита прозрачным материалом на основе эпоксидной смолы. Они имеют диапазон чувствительности от 430 нм до 1100 нм. Оптическое окно VEMD5110X01 снабжено светофильтром, ограничивающим диапазон чувствительности до 790…1050 нм, согласованным с длинами волн ИК излучателей.
Основные характеристики:
– Типовое время нарастания и спада: 100 нс.
– Ширина диаграммы направленности по уровню половинной мощности: ±65°.
– Диапазон рабочих температур от –40 °C до +110 °C.
– Максимум спектральной чувствительности — 940 нм.
– Соответствуют требованиям директивы RoHS, не содержат галогенов.
Источник: http://www.rlocman.ru/ | 
