SCT30N120 и SCT20N120 - революционные MOSFET транзисторы на основе карбида кремнияСовременный рынок силовой электроники с каждым годом все больше отдает предпочтение компонентам, выполненным на карбиде кремния (SiC). Этот факт отражается как в зарубежных, так и в отечественных публикациях. Оно и понятно, ведь физические параметры материала SiC значительно превосходят параметры кремния (Si) и арсенида галлия (GaAs).
Компания STMicroelectronics является одной из немногих компаний, которая ведет разработки MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния и является одной из лучших, благодаря полученным значениям сопротивления канала относительно температуры.
STMicroelectronics разработала революционно новые MOSFET-транзисторы SCT30N120 и SCT20N120, параметры которых выводят эту линейку компонентов на совершенно новый уровень.
| Обозначение |
VDS, В |
ID MAX, А |
RDS ON, мОм (VGS=20 В) |
Qg, нС |
Tj,°С |
Корпус |
| SCT30N120 |
1200 |
45 |
0,1 |
105 |
200 |
HiP247TM |
| SCT20N120 |
1200 |
25 |
0,29 |
45 |
200 |
HiP247TM |
Основные особенности и преимущества транзисторов SCT30N120 и SCT20N120:
– Весьма низкие потери как при нормальных, так и при высоких температурах (до 175°С);
– максимальная рабочая температура до 200°С;
– уменьшенные габариты при аналогичных параметрах конкурентов;
– простота схемы управления;
– высокая эффективность работы при частотах до 100 кГц и мощности до 5 кВт в отличие от IGBT и JFET.
Высокая эффективность работы при мощности до 5 кВт и на частотах 100 кГц, широкий диапазон рабочих характеристик, простота схемы управления и уменьшенные габариты при сопоставимых параметрах по сравнению с аналогичными компонентами, позволяют использовать MOSFET-транзисторы на SiC при разработке электроприводов, в энергосетях „smart-grid», в инверторах электромобилей, в системах солнечной и ветровой энергетики.
Источник:
http://www.ic-contract.ru/ | 
