Современные энергоэффективные MOSFET-транзисторы и решения для источников питания компании Infineon TechnologiesМикросхемы для источников питания и силовые полупроводниковые приборы компании Infineon Technologies (далее — Infineon) широко применяются в промышленной и бытовой электронике, компьютерной технике, телекоммуникационной аппаратуре и хорошо известны ремонтникам и радиолюбителям. То же самое можно сказать и о компонентах компании International Rectifier. В январе текущего года была завершена сделка по приобретению (за $3 млрд) американской компании International Rectifier (г. Эль-Сегундо, Калифорния) крупнейшим немецким производителем силовых полупроводниковых приборов Infineon Technologies AG (г. Нойбиберг).
По словам гендиректора Infineon Рейнхарда Плосса (Dr. Reinhard Ploss) это приобретение является уникальной возможностью для стратегического расширения компании за счет технологического и инновационного опыта International Rectifier, а также расширения сфер деятельности Infineon в США и Азии. Президент International Rectifier (далее — IR) Олег Хайкин также отметил значительную ценность сделки для акционеров компании в связи с открытием новых стратегических возможностей для клиентов и сотрудников.
Особенно эффективно слияние для расширения производства силовых полупроводниковых приборов — линейка мощных высоковольтных приборов Infineon дополнится низковольтными приборами средней и малой мощности IR, что позволит клиентам объединенной компании приобретать более законченные решения. Кроме того, увеличится загрузка завода Infineon в Дрездене, обладающего технологией производства силовых приборов на 300 мм пластинах. Также Infineon с приобретением IR получает доступ к ее передовым технологиям в области силовых приборов на основе нитрида галлия, имеющим хорошие перспективы для применения в энергетике.
В категорию силовых MOSFET, выпускаемых Infineon, входят полевые транзисторы с Р- и N- каналами на напряжения от 20 до 900 В промышленного, бытового и автомобильного назначения, приборы серий OptiMOS (20…300 В) и CoolMOS (500…900 В), а с 2015 года и силовые MOSFET IR. Компания также выпускает широкую номенклатуру микросхем для импульсных источников питания различных топологий (ШИМ, квазирезонансных), корректоров коэффициента мощности (ККМ), а также линейных стабилизаторов.
Силовые высоковольтные MOSFET с суперпереходом
Технология MOSFET с суперпереходом (Super-Junction/SJ) впервые была применена Infineon в 1998 году при производстве полевых высоковольтных транзисторов первого поколения CoolMOS S5 и на протяжении последующих лет постоянно усовершенствовалась. Целью внедрения технологии SJ было снижение сопротивления открытого канала Rds on MOSFET с блокирующим напряжением в диапазоне 500…1000 В. Дело в том, что Rds on высоковольтных полевых транзисторов, выполненных по традиционным технологиям, значительно выше, чем у низковольтных (от 2 до 5 раз). Уже в первых поколениях MOSFET с суперпереходом удалось снизить удельное сопротивление открытого канала в сравнении с приборами, выполненными по традиционным технологиям с 39 до 25 мОм/кв.см, а заряд затвора на 60…65%. В период с 2001 года по настоящее время было выпущено более десятка линеек высоковольтных полевых транзисторов с суперпереходом.
Полное содержание статьи доступно только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера Р&С или оформить подписку в редакции | 
