Новая технология LDMOS компании NXP ускорит разработку мощных РЧ устройствNXP Semiconductors анонсировала завершение разработки новой LDMOS (МОП с поверхностной диффузией) технологии создания радиочастотных (РЧ) транзисторов с рабочим напряжением до 65 В. Эта заметная прибавка к напряжению открывает дорогу новому поколению продуктов — транзисторам серии MRFX.
В связи с все более широким использованием радиочастот в различных промышленных приложениях, NXP предоставляет конструкторам мощных РЧ устройств средства сокращения цикла разработки:
Бльшая мощность
Повышенное рабочее напряжение позволяет увеличить выходную мощность и, сократив количество транзисторов выходного каскада, упростить конструкцию усилителей мощности и уменьшить их размеры.
Повторное использование конструкции
Простота согласования и совместимость по выводам с существующими 50-вольтовыми LDMOS-транзисторами дают разработчикам РЧ устройств возможность повторно использовать существующие печатные платы и сократить время выхода на рынок.
Контролируемый уровень тока
Повышенное напряжение снижает ток системы, ограничивая нагрузку на источники питания и уменьшая магнитные излучения.
Широкий диапазон безопасных режимов
Пробивное напряжение транзисторов, изготовленных по 65-вольтовой LDMOS-технологии NXP, равно 182 В, что повышает надежность и позволяет реализовывать более эффективные конструктивные решения.
Первым в серии MRFX появился MRFX1K80 – самый мощный в отрасли прибор среди всех РЧ транзисторов, способных работать в режиме усиления непрерывных колебаний. В приложениях, работающих на частотах от 1 до 470 МГц, устройство отдает непрерывную мощность 1800 Вт при напряжении питания 65 В и выдерживает стоячую волну напряжения при КСВ 65:1.
MRFX1K80 ориентирован на использование в промышленных, научных и медицинских приложениях для формирования лазерного излучения, плазменного травления, магниторезонансной визуализации и иных научных целей. Кроме того, MRFX1K80 хорошо подходит для вещательных передатчиков радио и телевидения УКВ диапазона.
Доступность и средства поддержки разработки
В настоящее время мелкими партиями выпускается транзистор MRFX1K80H в керамическом корпусе с воздушной полостью, а начало серийного производства ожидается в августе 2017 года. Доступны также оценочные схемы для приложений диапазонов 27 МГц и 87,5…108 МГц. В ближайшее время NXP представит версию транзистора, опрессованного в пластмассовый корпус (MRFX1K80N).
Источник: http://www.rlocman.ru/ | 
