MRF13750H - 750-ваттный LDMOS-транзистор для схем с частотой до 915 МГцФирма NXP Semiconductors разработала мощный транзистор для схем с частотой до 915 МГц. Кремниевый ключ на основе техпроцесса LDMOS при напряжении 50 В выдает непрерывно до 750 Вт мощности.
Новый компонент предназначен для модернизации схем микроволновых генераторов эры электровакуумных ламп, где используются такие устройства, как магнетроны. Транзистор MRF13750H поддерживает возможность точного управления мощностью на всем диапазоне рабочих частот 0..915 МГц и позволяет реализовать частотный сдвиг, помогающий точно задействовать высокочастотную энергию.
Компонент работает при напряжении 50 В для большей безопасности в сравнении с магнетронами. Малый размер твердотельного усилителя мощности позволяет создавать избыточные схемы и гибкие решения.
Транзистор MRF13750H спроектирован для применения в промышленных, научных и медицинских системах. Особенно актуален он будет в производственных печах, системах травления и сварки, в ускорителях частиц.
КПД нового транзистора при максимальной частоте и мощности составляет 67 %. Для заказа доступны образцы компонента и отладочная плата на 915 МГц. Серийный выпуск начнется в декабре 2017 года.
Источник: http://datasheet.su/ | 
