Ремонт&Сервис
 

Новости

О нас

О журнале Р&С

Архив Р&С

номера

разделы

Анонсы Р&C

ПОКУПАЕМ от АдоЯ

Архив АдоЯ

Файловый архив

Приглашаем

Реклама

Подписка

Где купить

Наши партнеры

Поиск Р&С

ТРИЗ

Запчасти

Архив_новости

 

Журнал

Реммаркет

схемы новости электроники

Ремонт аппаратуры (схемы, справочники, документация)

 
Ежемесячный журнал по ремонту и обслуживанию электронной техники

• бытовая техника

• аудиотехника

• техника связи

• телевизионная техника

• оргтехника

• видеотехника

• телефония

• элементная база

 

Архив/Номера/№10–2017

Назад
 
 
 
 

EMD4E001G - первые в мире микросхемы MRAM емкостью 1 Гбит уже поставляют потребителя

Everspin Technologies начала отгрузку основным потребителям пробных партий новых микросхем магниторезистивной оперативной памяти с переносом спинового момента (ST-MRAM) емкостью 1 Гбит. Этот революционный продукт предназначен для создания энергонезависимых систем хранения с интерфейсом DDR4. Он позволит производителям повысить надежность и эффективность своих запоминающих устройств и систем, обеспечивая защиту от сбоев питания без использования суперконденсаторов или аккумуляторов. Разработчики корпоративных твердотельных накопителей смогут воспользоваться всеми преимуществами быстрой и отказоустойчивой энергонезависимой памяти, сократить избыточность записываемых данных и количество недоступных пользователю ячеек, обойдя общие ограничения, типичные для твердотельных накопителей на основе NAND-флэш.

Новейшие ST-MRAM в четыре раза превосходят по емкости 256-мегабитные приборы DDR3 ST-MRAM, предлагаемые Everspin в настоящее время, и будут использованы в ускорителях скорости работы накопителей, выпускаемых Everspin под маркой nvNITRO.

Гигабитные КМОП MRAM изготавливаются на пластинах 300 мм с использованием техпроцесса 28 нм в партнерстве с компанией GlobalFoundries на основе запатентованной Everspin технологии запоминающих устройств с перпендикулярным магнитным туннельным переходом (perpendicular magnetic tunnel junction – pMTJ). Быстрое появление приборов емкостью 1 Гбит является прямым результатом высокой степени масштабируемости технологии pMTJ, позволившей в кооперации с GlobalFoundries менее чем за год перейти от проектных норм 40 нм к 28 нм.

Источник: http://www.rlocman.ru/

 
 
 

Свежий номер

№11–2020

Опрос

Обратная связь

 

Издательство СОЛОН-ПРЕСС

 

RB2 Network.
 
Rambler's Top100

© Издательство «Ремонт и Сервис 21», 1998-2007. Все права защищены.
Воспроизведение материалов сайта, журналов «Ремонт & Сервис», «Покупаем от А до Я» и справочника «Ремонт и сервис электронной техники» в любом виде, полностью или частично, допускается только с письменного разрешения издательства «Ремонт и Сервис 21».

 
RB2 Network.